一种透明阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜、非晶的氧化锆薄膜或非晶的二氧化铪薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控溅射的方法依次在透明衬底上沉积下电极层—阻变层—上电极层。本发明所提供的透明阻变存储器，具有良好的透光性，其在可见光波段范围内的透光率均在76%以上，最高可达92%左右。

主权项

一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，其特征是，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜、非晶的氧化锆薄膜或非晶的二氧化铪薄膜。