制造氧化物薄膜晶体管阵列的方法和结合其的装置

摘要

一些示例性实施例涉及制造氧化物薄膜晶体管阵列的方法(如IGZO、非结晶的或多晶的ZnO、ZnSnO、InZnO和/或类似物)和结合其的装置。可选阻挡层、半导体、栅级绝缘和/或栅级金属的覆盖层被安置在基板上。这些和/或其他层可通过低温或室温溅镀被沉积在苏打石灰或硼硅酸盐基板上。根据一些示例性实施例这些层可随后被图案化和/或进一步参与TFT的阵列制造。在一些示例性实施例中，所有或基本所有TFT工序可发生在低温下，如，处于或低于150摄氏度，直到退火后激活步骤，且随后的退火后步骤可在相对较低的温度下发生(如200至250摄氏度)。

主权项

一种制造用于电子装置的TFT基板的方法，所述方法包括以下步骤：提供玻璃基板；在低温或室温下，直接或间接地在玻璃基板上溅镀沉积氧化物半导体覆盖层；直接或间接地在氧化物半导体覆盖层上沉积栅极绝缘覆盖层；直接或间接地在栅极绝缘覆盖层上沉积栅极金属覆盖层；在栅极金属覆盖层的一个或多个部分之上应用遮罩，以定义一个或多个相应的遮罩区域及一个或多个相应的未遮罩区域；在一个或多个未遮罩区域或在靠近一个或多个未遮罩区域处，将栅极金属覆盖层的部分和栅极绝缘覆盖层的部分移除；在一个或多个未遮罩区域或在靠近一个或多个未遮罩区域处，增加氧化物半导体层的导电性；贯穿大致整个基板安置钝化层；将钝化层图案化以定义源接触孔和排放接触孔；和沉积用于源与排放连接件的层。