发明名称 |
一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法 |
摘要 |
一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤;一个沉积ZnO薄膜的步骤;一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀;然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线,得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比,该结构材料拥有异质结界面,可通过改变材料成分调节能带结构,并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积,非常适用于太阳能电池及光催化领域。 |
申请公布号 |
CN103296141A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201310215286.0 |
申请日期 |
2013.06.03 |
申请人 |
厦门大学;浙江大学 |
发明人 |
黄胜利;杨倩倩;李书平;康俊勇 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;B01J23/06(2006.01)I;B01J35/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)一个制备Si纳米线阵列的步骤;2)一个沉积ZnO薄膜的步骤;3)一个制备ZnO纳米线的步骤。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |