| 发明名称 | 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其能够显著减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸。所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni。 | ||
| 申请公布号 | CN102016110B | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN200980114784.8 | 申请日期 | 2009.04.30 |
| 申请人 | 山阳特殊制钢株式会社 | 发明人 | 泽田俊之;岸田敦;柳谷彰彦 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F9/08(2006.01)I;C22C19/03(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;G11B5/738(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种溅射靶材料，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的一种或多种选自由Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni，其中所述溅射靶材料通过在800℃以上和1250℃以下的温度固结得到。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||