发明名称 |
一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法 |
摘要 |
本发明公开了一种雪崩光电探测器,其用于探测目标探测光,并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6),其中第一电荷层(41)为N型掺杂,第二电荷层(42)为P型掺杂。吸收层(3)用于吸收目标探测光,将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对;第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布;倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应,产生雪崩载流子对,雪崩载流子对中的空穴经由所述渡越层(6)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间,有利于其高频特性的提高。 |
申请公布号 |
CN103268898A |
申请公布日期 |
2013.08.28 |
申请号 |
CN201310136042.3 |
申请日期 |
2013.04.18 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
李彬;韩勤;杨晓红 |
分类号 |
H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/107(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种雪崩光电探测器,用于探测目标探测光,其包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6);所述吸收层(3)用于吸收目标探测光,将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对;所述第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布;所述倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩倍增效应,产生雪崩载流子对;所述第二电荷层(42)也用于调控器件内部电场分布;所述渡越层(6)用于调节所述雪崩光电探测器中载流子的渡越时间和/或电容;其中,所述渡越层(6)、第二电荷层(42)与所述吸收层(3)、第一电荷层(41)分处所述倍增层(5)的两侧。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |