发明名称 一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法
摘要 本发明公开了一种雪崩光电探测器,其用于探测目标探测光,并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6),其中第一电荷层(41)为N型掺杂,第二电荷层(42)为P型掺杂。吸收层(3)用于吸收目标探测光,将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对;第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布;倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应,产生雪崩载流子对,雪崩载流子对中的空穴经由所述渡越层(6)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间,有利于其高频特性的提高。
申请公布号 CN103268898A 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201310136042.3 申请日期 2013.04.18
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 李彬;韩勤;杨晓红
分类号 H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/107(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种雪崩光电探测器,用于探测目标探测光,其包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6);所述吸收层(3)用于吸收目标探测光,将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对;所述第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布;所述倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩倍增效应,产生雪崩载流子对;所述第二电荷层(42)也用于调控器件内部电场分布;所述渡越层(6)用于调节所述雪崩光电探测器中载流子的渡越时间和/或电容;其中,所述渡越层(6)、第二电荷层(42)与所述吸收层(3)、第一电荷层(41)分处所述倍增层(5)的两侧。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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