半导体结构及其制造方法、制备含气隙图案的光罩的方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、制造半导体结构的方法以及制备含有气隙图案的光罩的方法。半导体结构包括一第一含金属层、一介电材料帽盖层、一第二含金属层和一导电垫。第一含金属层包括一组金属结构、一介电材料填充物和一气隙区域，其中介电材料填充物占据第一含金属层的一部分，以及气隙区域由至少该组金属结构和介电材料填充物来界定，且紧邻该组金属结构的至少一部分。第二含金属层包括至少一介层窗插塞，其电性连接至该组金属结构的一部分。导电垫和介层窗插塞与气隙区域不重叠。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一含金属层，包括：一组金属结构；一介电材料填充物，其占据该第一含金属层的一部分；以及一气隙区域，由至少该组金属结构和该介电材料填充物所界定，且紧邻该组金属结构的至少一部分；一介电材料帽盖层，形成于该第一含金属层的上方，其中该介电材料帽盖层的厚度介于30nm和50nm之间以让热分解聚合物材料通过；一第二含金属层，形成于该介电材料帽盖层的上方，该第二含金属层包括一介层窗插塞，该介层窗插塞电性连接至该组金属结构的一部分，且该介层窗插塞与该气隙区域不重叠；以及一导电垫，形成于该第二含金属层的上方，且与该气隙区域不重叠。