发明名称 使蚀刻底切最小化及提供清洁金属剥离的方法
摘要 提供使蚀刻底切最小化并在随后的金属沉积中提供清洁金属剥离的方法。在一个实施例中,首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量敏感的顶部层抗蚀剂图形化,以暴露出部分的底部抗蚀剂层,其对不同的选定范围的能量敏感。然后,通过各向异性蚀刻,利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模,去除底部抗蚀剂层的暴露部分,以暴露出部分的下面衬底。使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后,将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模,以用于随后的下面衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切,因此使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。
申请公布号 CN103258719A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201310105928.1 申请日期 2008.10.30
申请人 WJ通信公司 发明人 周显辉;陈艳
分类号 H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李玲
主权项 一种蚀刻衬底以在衬底上形成一个或多个金属化特征的方法,包括步骤:在衬底上形成电介质层;在电介质层上形成底部抗蚀剂层,所述底部抗蚀剂层对第一选定范围内的能量敏感;在所述底部抗蚀剂层上形成顶部抗蚀剂层,所述顶部抗蚀剂层具有比所述底部抗蚀剂层大的厚度且对第二选定范围内的能量敏感;将顶部抗蚀剂层的选定部分暴露到第二选定范围的能量,并去除顶部抗蚀剂层中的暴露部分以暴露出一部分底部抗蚀剂层;去除底部抗蚀剂层的暴露部分以暴露出一部分电介质层;使用所述顶部抗蚀剂层和底部抗蚀剂层作为蚀刻掩模去除电介质层的暴露部分以暴露出一部分衬底;蚀刻衬底的暴露部分至所需深度;在所述蚀刻衬底的暴露部分之后,在所述底部抗蚀剂层中形成抗蚀剂底切;在衬底的暴露部分上和顶部抗蚀剂层上沉积金属;和去除所述顶部抗蚀剂层和底部抗蚀剂层,并剥离形成在所述顶部抗蚀剂层上的金属,以在衬底上形成一个或多个金属化特征。
地址 美国加利福尼亚
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