| 发明名称 | NMOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种NMOS晶体管形成方法及NMOS晶体管，所述形成方法包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底，位于衬底上的栅极结构；在栅极结构两侧的衬底中形成凹陷；利用半导体材料填充所述凹陷，形成半导体材料层，在形成所述半导体材料层的过程中向所述衬底及所述半导体材料层掺杂D离子；在所述栅极结构两侧形成源极区和漏极区，所述半导体材料层部分或者全部位于所述源极区和漏极区内，本发明减小NMOS晶体管的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102376573B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201010253555.9 | 申请日期 | 2010.08.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何有丰;胡亚兰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种NMOS晶体管形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底，位于衬底上的栅极结构；在栅极结构两侧的衬底中形成凹陷；利用半导体材料填充所述凹陷，形成半导体材料层，在形成所述半导体材料层的过程中向所述衬底及所述半导体材料层掺杂D离子；在所述栅极结构两侧形成源极区和漏极区，所述半导体材料层部分或者全部位于所述源极区和漏极区内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||