Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Es wird eine erste Schicht (5) gefertigt, die eine erste Fläche (F1) einer Siliziumkarbid-Schicht (10) bildet und eine erste Leitfähigkeit hat. Ein innerer Graben (IT) wird an einer der ersten Fläche (F1) der ersten Schicht (5) gegenüberliegenden Seite ausgebildet. Fremdstoffe werden so implantiert, dass der Leitfähigkeitstyp der ersten Schicht (5) an der Seitenwand (SD) des inneren Grabens (IT) umgekehrt wird. Durch die Implantation von Fremdstoffen werden aus der ersten Schicht (5) ein Implantationsbereich (14), der sich an der Seitenwand (SD) des inneren Grabens (IT) befindet und einen zweiten Leitfähigkeitstyp hat, und ein Nicht-Implantationsbereich (11a) des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet. Es wird eine zweite Schicht (11b) des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet, die den inneren Graben (IT) füllt und zusammen mit dem Nicht-Implantationsbereich (11a) den ersten Bereich (11) bildet.