菊花一步法组培快繁方法

摘要

本发明公开了菊花一步法组培快繁方法，它包括以下步骤：S1、获得菊花无菌组培苗：采集菊花外植体，切割成带芽茎段，灭菌清洁后，接种于培养基上生长，待新的腋芽萌发至2～3cm时，转接于新的培养基上生长，获得生根无菌健壮母本苗；S2、一步法快繁：将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，带芽茎段长成完整植株。本发明的有益效果是：生根后的菊花组培苗不需特殊炼苗，生长健壮，生产成本低廉，得到的组培苗遗传状一致，且繁殖系数高，繁殖周期短，是菊花组培快繁的有效途径；组培培养基和壮苗、生根培养基为同一种培养基，降低了操作难度，利于提高培养效率，且适用范围广。

主权项

菊花一步法组培快繁方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、获得菊花无菌组培苗：采集菊花外植体，切割成2～3cm的带芽茎段，酒精灭菌20～40s，升汞灭菌4～6min，无菌水冲洗4～6遍，接种于培养基上生长，所述的培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L，在光照2000LX，16 h，温度24℃的培养条件下培养；一周后，待新的腋芽萌发至2～3cm时，转接于新的培养基上生长，所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L，在光照2000LX，16 h，温度24℃的培养条件下培养；生长两周后获得生根无菌健壮母本苗；S2、一步法快繁：将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成20～30段2～3cm的带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L，在光照2000LX，16 h，温度24℃的培养条件下培养；一周后，带芽茎段长成完整植株。