SOI-Substrat

摘要

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein SOI-Substrat für Leistungshalbleiterbauteile bereitzustellen, welches gleichzeitig das Problem von herkömmlichen SOI-Substraten, die einen Kohlenstoff-Film als isolierende Schicht (I-Schicht) verwenden, und das Problem der Diamantsynthese durch HFCVD löst. Die Erfindung stellt ein SOI-Substrat für Leistungshalbleiterbauteile mit guten Isolationseigenschaften und guter Wärmeleitfähigkeit bereit, indem eine I-Schicht genommen wird, die eine Hybridstruktur aus einem Kohlenstoff-Film und einem mikrokristallinen Diamantfilm hat, und vorzugsweise eine I-Schicht hat, in der ein Siliziumoxid-Film (SiO2-Film) zwischen dem Silizium-Substrat und dem Kohlenstoff-Film vorgesehen ist.