具有高应力沟道的MOS器件的制造方法

摘要

本发明提供用于形成包含含硅衬底的器件的方法。一种示例性的方法包含沉积覆盖该含硅衬底的多晶硅层，非晶化该多晶硅层，蚀刻该非晶化的多晶硅层以形成栅极电极，沉积覆盖该栅极电极的应力感生层，退火该含硅衬底以再结晶该栅极电极，去除该应力感生层，使用该栅极电极作为蚀刻掩模将凹槽蚀刻到该衬底中以及在该凹槽中外延生长杂质掺杂的含硅区域。

主权项

一种用于形成包含含硅衬底的半导体器件的方法，其中所述方法包含以下步骤：沉积覆盖所述含硅衬底的多晶硅层；非晶化所述多晶硅层；蚀刻非晶化的所述多晶硅层以形成栅极电极；沉积覆盖所述栅极电极的应力感生层；退火所述含硅衬底以再结晶所述栅极电极；去除所述应力感生层；在去除所述应力感生层之后：使用所述栅极电极作为蚀刻掩模将凹槽蚀刻到所述衬底中；以及在所述凹槽中外延生长杂质掺杂的含硅区域。