一种制备栅极氧化层的方法

摘要

本发明一般涉及CMOS半导体器件制造工艺，具体涉及一种提高栅极氧化层的稳定性的方法，包括以下步骤：填充氧化物充满浅沟槽隔离区并覆盖剩余硅化物层的上表面，形成氧化物层；采用平坦化工艺去除部分氧化物层，暴露出剩余硅化物层的上表面，并在浅沟槽隔离区形成氧化隔离层；移除剩余硅化物层及剩余衬垫氧化层暴露出剩余剩余衬底的上表面；于剩余衬底暴露部分的表面生长一层牺牲氧化层，以该牺牲氧化层为阻挡层进行离子注入工艺后，去除该牺牲氧化层，并继续进行清洗工艺；于剩余衬底的暴露部分的上表面生长一层厚栅极氧化层至氧化隔离层的上表面。本发明可保证生长栅氧化层的厚度的均匀度，提高了栅氧化层的稳定性。

主权项

一种制备栅极氧化层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、于硅衬底的上表面自下至上顺序依次沉积衬垫氧化层和硅化物层；步骤S2、回蚀所述硅化物层和所述衬垫氧化层至所述硅衬底中，形成浅沟槽隔离区，并形成剩余衬垫氧化层、剩余硅化物层和剩余衬底；步骤S3、填充氧化物充满所述浅沟槽隔离区并覆盖所述剩余硅化物层的上表面，形成氧化物层；步骤S4、采用平坦化工艺去除部分所述氧化物层，暴露出所述剩余硅化物层的上表面，并在所述浅沟槽隔离区形成氧化隔离层；步骤S5、移除所述剩余硅化物层及所述剩余衬垫氧化层暴露出剩余所述剩余衬底的上表面；步骤S6、于所述剩余衬底暴露部分的表面生长一层牺牲氧化层，以该牺牲氧化层为阻挡层进行离子注入工艺后，去除该牺牲氧化层，并继续进行清洗工艺；步骤S7、于剩余衬底的暴露部分的上表面生长一层厚栅极氧化层至所述氧化隔离层的上表面。