| 发明名称 | 晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103227201A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201310007163.8 | 申请日期 | 2013.01.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌承;李周浩;金容诚;金俊成;文彰烈 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王新华 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：栅极，在基板上；沟道层，具有三维（3D）沟道区域，覆盖所述栅极的至少一部分；源极电极，接触所述沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触所述沟道层的第二区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||