Ge基三栅器件及制造方法

摘要

本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。

主权项

一种锗基三栅器件，其特征在于，包括单晶硅衬底、二氧化硅绝缘层、单晶锗体、氧化锗过渡层、栅极介质层和栅电极，在单晶硅衬底上形成二氧化硅绝缘层，单晶锗体形成于二氧化硅绝缘层上，且氧化锗过渡层形成于单晶锗体的三面上且包围单晶锗体的这三面，栅极介质层形成于氧化锗过渡层上并包围氧化锗过渡层的这三面，栅电极为堆垛结构，栅电极设置栅极介质层的三面上且包括所述栅极介质层的三面，且锗基三栅器件的源极区和漏极区形成于栅电极相对的两侧。