藉由自我对齐氧化之自我对齐平面双闸极程序

摘要

本发明系关于一种具有藉由一程序而横向对齐之前(上)及后闸极的双闸极电晶体，该程序如下：在接近该前闸极处形成对称侧壁，且随后在至少摄氏1000度之温度下于足以舒缓该结构中之应力的时间中氧化该后闸电极，氧化物自电晶体本体之侧边穿透而加厚外边缘上之后闸极氧化物，在中心留下有效厚度之闸极氧化物，其与前闸电极对齐。视情况而定，一来自侧面的氧化物增强物质之倾斜植入促成了外植入区域中之相对较厚之氧化物，且一横越电晶体本体之氧化延迟植入延迟了垂直方向上之氧化，从而允许增加氧化之横向范围。