| 发明名称 | 用于制造电子器件的方法和电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造电子器件（240）的方法（100），所述方法能够具有：借助于原子层沉积法将电极生长层（226）施加（102）在层结构上或施加在层结构上方；并且将电极（232）施加（104）在电极生长层（226）上。 | ||
| 申请公布号 | CN103210519A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201180054917.4 | 申请日期 | 2011.07.28 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 迪尔克·贝克;埃尔温·兰;蒂洛·罗伊施 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 用于制造电子器件（240）的方法（100），其中所述方法具有：·借助于原子层沉积法将电极生长层（226）施加（102）在层结构上或施加在层结构上方；并且·将电极（232）施加（104）在所述电极生长层（226）上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||