| 发明名称 | 与CMOS工艺兼容的MEMS温度湿度集成传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 与CMOS工艺兼容的MEMS温度湿度集成传感器及其制造方法。本发明提供一种温度湿度集成传感器，其包括基材、形成于基材上的绝缘层、形成于绝缘层上的下电极、形成于下电极上的中间湿度感知层以及形成于中间湿度感知层上的上电极，其中下电极采用由N型多晶硅/铝或者N型多晶硅/P型多晶硅形成的热电偶来测量温度。本发明的温湿度集成传感器，下电极采用Al和多晶硅形成热电偶，这是CMOS兼容工艺，可以与CMOS同时流通，制造方便。 | ||
| 申请公布号 | CN103185611A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201310117126.2 | 申请日期 | 2013.04.03 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 苏佳乐 |
| 分类号 | G01D21/02(2006.01)I | 主分类号 | G01D21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人 | 王爱伟 |
| 主权项 | 一种与CMOS工艺兼容的MEMS温度湿度集成传感器,其包括基材、形成于基材上的绝缘层、形成于绝缘层上的下电极、形成于下电极上的中间湿度感知层以及形成于中间湿度感知层上的上电极，其特征在于；所述下电极采用由N型多晶硅与铝金属或者P型多晶硅形成的热电偶来测量温度。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||