发明名称 |
薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物,通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象,同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物,特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。 |
申请公布号 |
CN103184453A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201310110330.1 |
申请日期 |
2007.05.10 |
申请人 |
株式会社 东进世美肯 |
发明人 |
李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 |
分类号 |
C23F1/16(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;赵冬梅 |
主权项 |
一种薄膜晶体管液晶显示装置的栅极配线材料Mo/AlNd/Mo三重膜的蚀刻组合物,该蚀刻组合物的特征在于,其含有:50重量%~80重量%的a)磷酸、2重量%~15重量%的b)硝酸、3重量%~20重量%的c)乙酸、0.05重量%~3重量%的d)锂类化合物、0.1重量%~5重量%的e)磷酸盐类化合物、以及余量的f)水,所述d)锂类化合物为选自由LiNO3、CH3COOLi、C4H5O3Li、LiCl、LiF、LiI、C2HLiO4、LiClO4、Li2O2、Li2SO4、LiH2PO4和Li3PO4组成的组中的1种以上的物质,所述e)磷酸盐类化合物为选自由NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4和Ca3PO4组成的组中的1种以上的物质。 |
地址 |
韩国仁川广域市 |