发明名称 太阳能电池
摘要 本发明公开一种太阳能电池。根据实施方式的太阳能电池包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的发射极层;形成在半导体衬底的后表面上的后表面场层;形成在发射极层上的第一电极;以及形成在后表面场层上的第二电极。后表面场层包括:形成在不形成第二电极的部分并且具有第一电阻的第一部分,以及与第二电极接触并具有低于第一电阻的第二电阻的第二部分。第二电极包括彼此平行并且间隔约0.1mm到约1mm的距离并且具有约50μm到约70μm的宽度的多个指状电极。
申请公布号 CN103178132A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201210300871.6 申请日期 2012.07.18
申请人 LG电子株式会社 发明人 李景洙;崔亨旭
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚;张旭东
主权项 一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的半导体衬底;形成在所述半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的第二导电类型的发射极层;形成在所述半导体衬底的所述后表面上的后表面场层;形成在所述发射极层上并且电连接到所述发射极层的第一电极;以及形成在所述后表面场层上并且电连接到所述后表面场层的第二电极,其中,所述后表面场层包括:在未形成所述第二电极的部分形成并且具有第一电阻的第一部分,以及与所述第二电极接触并且具有低于所述第一电阻的第二电阻的第二部分,所述第二电极包括多个指状电极,所述多个指状电极彼此平行并且彼此间隔约0.1mm到约1mm的距离,并且所述多个指状电极具有约50μm到约70μm的宽度。
地址 韩国首尔