发明名称 | 一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统,尤其涉及一种共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜工艺中的控制系统,其包括真空室、蒸发源、基片、加热模块和控制系统,所述控制系统仅包括温度控制系统。本实用新型通过温度变化为控制特征的控制系统实现了铜铟镓硒薄膜电池制备工艺低成本,以及通过控制系统直接影响系统制备CIGS薄膜的质量。 | ||
申请公布号 | CN203007382U | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201220734675.5 | 申请日期 | 2012.12.27 |
申请人 | 汉能科技有限公司 | 发明人 | 于素豪 |
分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种铜铟镓硒薄膜电池控制系统,包括真空室、蒸发源、基片、加热模块和控制系统,其特征在于所述控制系统仅包括温度控制系统。 | ||
地址 | 102209 北京市昌平区北七家镇宏福创业园15号院 |