| 发明名称 | 制造异质结双极晶体管的方法和异质结双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种形成异质结双极晶体管的方法，包括：在单晶硅衬底表面上沉积包括多晶硅层和牺牲层的第一叠层；对所述第一叠层图案化以形成延伸到所述衬底的沟槽；沉积硅层；沉积硅-锗-碳层；从所述沟槽的侧壁选择性地去除所述硅-锗-碳层；沉积掺硼的硅-锗-碳层；沉积另外的硅-锗-碳层；沉积掺硼的另外的硅层；在所述沟槽的侧壁上形成电介质间隔物；用发射极材料填充所述沟槽；通过选择性地去除所述第一叠层的牺牲层，暴露出所述沟槽侧壁外部的多晶硅区；将硼杂质注入到所暴露的多晶硅区中以限定基极注入物；以及将所得到的结构暴露到热预算，用于对硼杂质进行退火。还公开了一种通过这种方法形成的异质结双极晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN102129994B | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110009451.8 | 申请日期 | 2011.01.12 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 菲利浦·默尼耶-贝拉德;约翰内斯·约瑟夫斯·斯奥道勒斯·马里纳斯·唐克斯;汉斯·莫腾斯;托尼·范胡克 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种形成异质结双极晶体管的方法，包括：在单晶硅衬底表面(10)上沉积包括多晶硅层(16)和牺牲层(18)的第一叠层；对所述第一叠层图案化以形成延伸到所述衬底的沟槽(22)；在所得到的结构上沉积硅层(24)；在所得到的结构上沉积硅‑锗‑碳层(26)；从所述沟槽(22)的侧壁选择性地去除所述硅‑锗‑碳层(26)；在所得到的结构上沉积掺硼的硅‑锗‑碳层(28)；在所得到的结构上沉积另外的硅‑锗‑碳层(30)；在所得到的结构上沉积掺硼的另外的硅层(32)；在所述沟槽(22)的侧壁上形成电介质间隔物(34)；用发射极材料(36)填充所述沟槽(22)；通过选择性地去除所述第一叠层的牺牲层(18)，暴露出所述沟槽侧壁外部的多晶硅区(16)；将硼杂质注入到所暴露的多晶硅区(16)中以限定基极注入物；以及将所得到的结构暴露到热预算，用于对硼杂质进行退火。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||