MOS器件的形成方法及其形成的MOS器件

摘要

本发明提供一种MOS器件的形成方法，包括：首先，提供至少包括三个区域的半导体衬底，其中，第一区域用于形成栅极区，与第一区域相邻的第二、三区域分别用于形成源区与漏区；接着，利用外延法使所述第一区域的半导体衬底向外延伸生长出外延层；然后，利用各向同性刻蚀法刻蚀该外延层形成沟道区；再接着，利用外延法在第二、三区域生长硅-锗，分别形成硅-锗源区结构、漏区结构；之后，对该硅-锗源区结构、漏区结构进行掺杂。本发明还提供了利用上述方法形成的MOS器件。采用本发明的技术方案，避免了常规做法中刻蚀源漏区给硅衬底带来的损伤，达到了减小缺陷目的，形成的MOS器件在使用过程中不易发生漏电现象。

主权项

一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括三个区域，其中，第一区域用于形成栅极区，与第一区域相邻的第二区域、第三区域分别用于形成源区与漏区；利用外延法使所述第一区域的半导体衬底向外延伸生长出外延层；利用各向同性刻蚀法刻蚀所述外延层形成沟道区；利用外延法在第二区域、第三区域生长硅‑锗，分别形成硅‑锗源区结构、漏区结构；对所述硅‑锗源区结构、漏区结构进行掺杂。