发明名称 |
纳米硅薄膜压力传感器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种压力传感器,尤其涉及一种采用半导体材料硅制作的纳米硅薄膜压力传感器,将压力腔后端面作为弹性膜片,并在压力腔后端面安装由纳米硅应变材料制成的4个纳米硅薄膜应变电阻,4个纳米硅薄膜应变电阻按压力腔中心轴对称分布构成惠斯登电桥。采用半导体材料硅制作纳米硅薄膜压力传感器,由于纳米硅薄膜电阻应变系数为n+με(微应变)到100με(微应变),纳米硅薄膜压力传感器的输出灵敏度大幅提高,比现有技术的采用金属薄膜应变计的薄膜压力传感器的灵敏度高1-2个数量级。 |
申请公布号 |
CN202956241U |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN201220540296.2 |
申请日期 |
2012.10.22 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
发明人 |
谢贵久;白庆星;安志超;谢锋;何迎辉;颜志红;黄华山;龚星 |
分类号 |
G01L9/04(2006.01)I |
主分类号 |
G01L9/04(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
马强 |
主权项 |
一种纳米硅薄膜压力传感器,包括前端设有引压嘴(3)的压力腔(1)、一端固定到压力腔(1)后部的外罩(4)和置于压力腔(1)后端的弹性膜片(5),其特征是,所述外罩(4)与压力腔(1)之间形成密封腔体(12),并在外罩(4)上设有航空插头(13);压力腔(1)后端面作为弹性膜片(5),并在压力腔(1)后端面安装由纳米硅应变材料制成的4个纳米硅薄膜应变电阻(10),所述4个纳米硅薄膜应变电阻(10)按压力腔(1)中心轴对称分布构成惠斯登电桥,该惠斯登电桥的输入端与压力腔(1)后端面连接,而惠斯登电桥的输出端与置于密封腔体(12)内的输入输出模块的输入端连接,所述输入输出模块的输出端连接到外罩(4)的航空插头(13)上;所述纳米硅薄膜应变电阻(10)与压力腔(1)后端面之间设有绝缘层(9),而在纳米硅薄膜应变电阻(10)外侧覆有保护层(11)。 |
地址 |
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号 |