发明名称 |
氟化处理方法和氟化处理装置以及氟化处理装置的使用方法 |
摘要 |
本发明提供可维持稳定的处理品质的氟化处理方法。其是将被处理物在规定的氟化气氛的氟化处理空间内进行加热保持而进行氟化处理的氟化处理方法,通过使与氟具有反应性的空间内结构物在上述氟化处理空间内露出,以在上述氟化处理空间内露出的空间内结构物的表面上预先形成有氟化层的状态下进行上述氟化处理,用于对被处理物进行氟化处理而供给的氟化源气体不会在氟化处理中由于将空间内结构物的表面氟化而大量地消耗。另外,即使供给的氟化源气体的氟化势能不足,上述空间内结构物表面的氟化层会放出氟化源气体。因此,可以适当地维持氟化处理中的氟化处理空间内的氟化气氛。 |
申请公布号 |
CN102159747B |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN200980136617.3 |
申请日期 |
2009.09.10 |
申请人 |
爱沃特株式会社 |
发明人 |
渡边崇则;岩村英明;南克治 |
分类号 |
C23C8/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C8/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
蒋亭 |
主权项 |
一种氟化处理方法,其特征在于,其是在规定的氟化气氛的氟化处理空间内对被处理物进行加热保持而进行氟化处理的氟化处理方法,其中,使与氟具有反应性的空间内结构物露出于所述氟化处理空间内,并以在露出于所述氟化处理空间内的空间内结构物的表面预先形成有氟化层且预先形成的所述氟化层终止反应控制速度而进入扩散控制速度的状态下进行所述氟化处理,所述氟化层用于在所述氟化处理中的氟化气氛的氟化势能不足时放出氟化源气体而适当地维持氟化气氛。 |
地址 |
日本国北海道 |