发明名称 |
一种有机发光二极管 |
摘要 |
本发明提供一种有机发光二极管在电极表面设置有有机半导体异质结,由于半导体异质结是一种富含空穴和电子载流子的体系,所以相当于在电极表面增加了一层电子和/或空穴的注入和传输单元,使电子和空穴实现欧姆注入,避免了因金属电极功函数选择不当而造成的电子和/或空穴注入不平衡,所以能够增加有机发光二极管发光效率。另外由于增加了载流子的注入效率,降低了金属电极的损伤,延长了使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102169966B |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201110108972.9 |
申请日期 |
2011.04.28 |
申请人 |
中国科学院长春应用化学研究所 |
发明人 |
马东阁;陈永华;闫东航;王利祥 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
魏晓波;逯长明 |
主权项 |
一种有机发光二极管,其特征在于,包括:衬底;设置于所述衬底上的第一电极;设置于所述第一电极上的发光单元;设置于所述发光单元上的第二电极;在所述第一电极与所述发光单元之间至少设置有一个有机半导体异质结单元和/或在发光单元与第二电极之间至少设置有一个有机半导体异质结单元;所述有机半导体异质结单元由p型有机半导体层和n型有机半导体层构成;所述n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级大于4.0eV,p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于5.5eV,p型有机半导体的最高占据分子轨道能级和n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差要小于1eV。 |
地址 |
130000 吉林省长春市人民大街5625号 |