发明名称 采用测试校准提高器件参数精度的方法
摘要 本专利提出一种在芯片的WAFER测试阶段采用测试仪的高精度测试通道对集成电路芯片进行器件参数校准的方法,该方法可克服集成电路制造工艺带来的电路参数偏差,简化电路设计,提高集成电路中的参数设计精度。此方法带来的测试开销小,在产品的量产测试中可实现性好。
申请公布号 CN1979367B 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN200510126025.7 申请日期 2005.11.30
申请人 北京中电华大电子设计有限责任公司 发明人 叶茵
分类号 G05F1/63(2006.01)I 主分类号 G05F1/63(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种采用测试校准提高器件参数精度的方法,通过扫描输入控制参数至相关参数控制单元调节高精度电路的输出,同时通过测试机的测试通道对该输出进行高精度标定,一旦符合精度要求,即将控制参数存入非易失存储器,在应用时将该参数读出配置相关参数调整单元以保证高精度电路的输出精度,具体步骤如下:(1)在芯片测试时芯片进入测试态,通过输入一组相关参数调整单元的控制参数,调节高精度电路的输出参数,将需要考察的节点电压与测试系统的高精度基准电压源比较;(2)如果测试符合精度要求,则通过测试端TIN串入一个特殊编码,通知内部电路将该组控制参数记入芯片内的非易失存储区;如果不符合精度要求,则输入另一组相关参数调整单元的控制参数,直至观察节点的电压符合精度要求;(3)在芯片的应用态可直接从非易失存储器中读出相应的控制参数,配置相关参数调整单元,由于该控制参数是经过测试校准的,因而可保证准确实现电路参数,从而使生产出的芯片准确地达到所设计的参数值。
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