发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器

摘要

一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

主权项

一种制造发光二极管的方法，包括如下步骤：提供在一个主表面上具有至少一个凹口部分的衬底，通过在截面上形成将所述凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III‑V族化合物半导体层，由此掩埋所述凹口部分；在所述衬底上从所述第一氮化物基III‑V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III‑V族化合物半导体层；以及在所述第二氮化物基III‑V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III‑V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III‑V族化合物半导体层，在所述衬底的除了所述凹口部分之外的部分上，依次形成第一非晶层、第二非晶层和第三非晶层，并且所述第二非晶层相对于所述第一非晶层和所述第三非晶层被选择性蚀刻。