| 摘要 |
Eine Plasma-Elektrode 30 einer Plasma-CVD-Vorrichtung 40 ist so aufgebaut, dass eine Hauptelektrodeneinheit 21, die mit einer Prozessgaseinleitungsöffnung (eine zweiten Prozessgaseinleitungsöffnung 21a) versehen ist, und eine Gassprühplatte 23 bereitgestellt wird, die an einem Ende der Hauptelektrodeneinheit angebracht ist, um einen Gasdiffusionsraum DS zwischen der Hauptelektrodeneinheit und der Gassprühplatte zu bilden. Mehrere Gasausleitungsöffnungen 23a zum Ausleiten von Prozessgas sind in der Gassprühplatte ausgebildet. Eine Gasdiffusionsplatte 25 mit mehreren Gasverteilungsöffnungen 25a zum Verteilen von Prozessgas und mehreren Wärmeübertragungssäulen 27, die durch die Gasverteilungsöffnungen hindurchgehen, um die Gassprühplatte und die Hauptelektrodeneinheit wärmetechnisch miteinander zu verbinden, sind im Gasdiffusionsraum angeordnet. Ein Zwischenraum ist zwischen einer Innenwand der Gasverteilungsöffnung und einem Umfang der durch die Gasverteilungsöffnung hindurchgehenden Wärmeübertragungssäule gebildet.
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