| 摘要 |
<p>본 발명의 발광 장치는, n형 질화물 반도체층, n형 질화물 반도체층 상의 질화물 발광층, 질화물 발광층 상의 p형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층으로부터 볼 때 질화물 발광층의 반대측에 위치하는 애노드 전극, 및 n형 질화물 반도체층 상의 캐소드 전극을 갖는 LED 칩과 실장 기판을 포함한다. 실장 기판의 도체 패턴은, 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에, 범프를 통하여 연결되어 있다. LED 칩은 또한 하나 이상의 유전체층을 가지고 있다. 유전체층은 적어도 1개 이상의 섬형상으로 형성되어 있고, 또한 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 애노드 전극 사이에 위치하고 있다. p형 질화물 반도체층은 상기 범프와 중첩되는 제1 영역을 가지고 있으며, 유전체층은 상기 제1 영역에 형성되어 있지 않다.</p> |
