| 发明名称 |
绝缘结构及其形成方法 |
| 摘要 |
一种绝缘结构，包括一沟槽。沟槽位于一基板中。沟槽之一侧壁具有一第一斜面以及一第二斜面。第一斜面位于第二斜面上。第一斜面之斜率不同于与第二斜面之斜率，且第一斜面之一长度大于15奈米。 |
| 申请公布号 |
TWI395291 |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
| 申请号 |
TW098125989 |
申请日期 |
2009.07.31 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
吴明宗;洪士平;郑俊民;陈育锺;许汉辉 |
| 分类号 |
H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
