一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件

摘要

一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件，包括衬底，依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极，电容性耦合沟槽矩形阵列，电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，所述第三半导体层与所述第二半导体层之间形成二维电子气沟道，所述多晶硅连接器贯穿所述二维电子气沟道，并截止于第二半导体层中。多晶硅连接器长度短，不但工艺简单，而且还降低了制作成本，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，介质击穿电压高，使得电子器件能承受很高的电压。

主权项

一种半导体器件，包括衬底，依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极，电容性耦合沟槽矩形阵列，电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器，其特征在于，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层是Ⅲ‑Ⅴ族半导体化合物层，且所述第二半导体层和所述第三半导体层是材料不相同的半导体层；所述第三半导体层与所述第二半导体层之间形成二维电子气沟道；所述多晶硅连接器贯穿所述二维电子气沟道，并截止于所述第二半导体层中。