| 摘要 |
<p>In einem Herstellungsprozess eines Transistors mit unten liegendem Gate, der einen Oxid-Halbleiterfilm aufweist, werden Entziehen von Wasser oder Wasserstoff durch eine Wärmebehandlung und eine Sauerstoffdotierungsbehandlung durchgeführt. Ein Transistor, der einen Oxid-Halbleiterfilm aufweist, der dem Entziehen von Wasser oder Wasserstoff durch eine Wärmebehandlung und einer Sauerstoffdotierungsbehandlung unterzogen worden ist, kann zu einem hochzuverlässigen Transistor mit stabilen elektrischen Eigenschaften werden, in dem das Maß an Veränderung der Schwellenspannung vor und nach dem Vorspannungstemperatur-(bias-temperature: BT-)Belastungs-Test reduziert werden kann.</p> |
