硅结构的制造和带有形貌控制的深硅蚀刻

摘要

提供一种利用稳态气流将特征蚀刻在硅层中的方法。提供包括含氧气体和含氟气体的蚀刻气体。由该蚀刻气体提供等离子。然后，停止该蚀刻气体流。

主权项

一种将图案化特征蚀刻在至少一个导电层、至少一个电介质层和硅基片中的方法，包括：a)将硅晶片装载在工艺室中，其中该至少一个导电层，该至少一个电介质层设在该硅晶片上方；b)蚀刻至少一个导电层，包括将导电层蚀刻气体通入该工艺室；由该导电层蚀刻气体形成等离子；利用由该导电层蚀刻气体形成的等离子蚀刻该至少一个导电层；以及停止该导电层蚀刻气体流；c)蚀刻至少一个电介质层，包括：将电介质蚀刻气体通入该工艺室；由该电介质蚀刻气体形成等离子；利用由该电介质蚀刻气体形成的等离子蚀刻该至少一个电介质层；以及停止该电介质层蚀刻气体流；d)蚀刻该硅层，包括：将硅蚀刻气体通入该室；由该硅蚀刻气体形成等离子；利用由该硅蚀刻气体形成的等离子蚀刻该硅晶片；以及停止该硅蚀刻气体流；以及e)从该工艺室卸除该晶片。