| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-结-势垒-肖特基二极管的半导体装置(30)及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101091260B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN200580037812.2 | 申请日期 | 2005.10.21 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | A·格拉赫;曲宁 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 侯鸣慧 |
| 主权项 | 半导体装置(30，40，50，60，70)，包括带有集成的PN二极管的沟槽‑结‑势垒‑肖特基二极管，其特征在于，该PN二极管用作箝位元件，在包括由肖特基二极管和PN二极管构成的组合的半导体装置(30，40，50，60，70)中所述PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于所述肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)，该半导体装置(30)包括一个n+衬底(1)，在该n+衬底(1)上设置有一个n层(2)，在n层(2)中设置有至少两个沟槽(7)，这些沟槽(7)用p掺杂材料填充以便形成p掺杂区(8)，n+衬底(1)和n层(2)各载有一个接触层(4，5)，其中所述接触层(4，5)整面覆盖该半导体装置(30)的正面和背面，并且，该半导体装置在击穿运行中能够以几百A/cm2数量级的大电流密度工作。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||