官能化杂并苯和由其产生的电子器件

摘要

本发明公开了一种电子器件，如包含例如通式(I)的半导体的薄膜晶体管，其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃；每个R1和R2独立地是氢(H)、合适的烃、含杂原子的基团或卤素；R3和R4独立地是合适的烃、含杂原子的基团或卤素；x和y表示基团的数目；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基；并且n和m表示重复单元的数目。

主权项

1.一种包括半导材料的电子器件，该半导材料包含通式(I)的组分：其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或烷基芳基；每个R₁和R₂独立地是氢、烷基、烷氧基、芳基、烷基芳基、含杂原子的基团或卤素；R₃和R₄独立地是烷基、烷氧基、芳基、烷基芳基、含杂原子的基团或卤素；其中所述含杂原子的基团是二烷基胺、二芳基胺、烷氧基、三烷基甲硅烷基或三芳基甲硅烷基、或噻吩基、吡啶基或烷氧基烷氧基芳基；x和y表示基团的数目，其中x是0-12的数字，和y是0-12的数字；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基；并且n和m表示重复单元的数目，其中m是0-3的数字，和n是0-3的数字。