| 发明名称 | 一种晶体管形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面的材料含硅，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的表面以及衬底暴露的表面形成侧墙介质层；向所述侧墙介质层掺入碳离子；掺入碳离子后，刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的掺碳的侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成金属层，所述金属层含镍；对所述金属层进行退火处理，镍与衬底表面的硅以及栅极表面的硅发生反应，形成镍硅化物层。通过本发明所提供的晶体管形成方法，可以提高晶体管的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103035523A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110298001.5 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;刘佳磊;禹国宾;吴兵 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的侧壁形成掺碳侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成镍硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||