发明名称 DETEKTION DES NULLDURCHGANGS DES LASTSTROMS IN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
摘要 Es wird eine Schaltungsanordnung offenbart, die einen rückwärts leitenden Transistor mit einer Gateelektrode und einem Laststrompfad zwischen einer Emitter- und einer Kollektorelektrode aufweist. Der Transistor ist dazu ausgebildet, einen Laststrom in einer Vorwärtsrichtung und in einer Rückwärtsrichtung durch den Laststrompfad zu leiten und durch ein entsprechendes Signal an der Gateelektrode aktiviert oder deaktiviert zu werden. Die Schaltungsanordnung umfasst weiterhin eine Gatesteuereinheit und eine Überwachungseinheit. Die Gatesteuereinheit ist mit der Gateelektrode verbunden und dazu ausgebildet, den Transistor über die Gateelektrode zu deaktivieren oder eine Aktivierung des Transistors zu verhindern, wenn sich der Transistor in einem rückwärts leitenden Zustand befindet. Die Überwachungseinheit ist dazu ausgebildet, einen plötzlichen Anstieg einer Kollektor-Emitter-Spannung des rückwärts leitenden Transistors zu detektieren, der auftritt, wenn der Laststrom Null durchquert, während der Transistor durch die Gatesteuereinheit deaktiviert ist oder wenn durch diese eine Aktivierung verhindert wird.
申请公布号 DE102012217709(A1) 申请公布日期 2013.04.04
申请号 DE201210217709 申请日期 2012.09.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DOMES, DANIEL
分类号 H03K17/567 主分类号 H03K17/567
代理机构 代理人
主权项
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