使用借助微波辐射形成的低泄漏齐纳二极管的ESD保护

摘要

本发明揭示使用借助微波辐射形成的低泄漏齐纳二极管的ESD保护。本发明描述半导体装置及用于制作此些装置的方法。这些装置含有半导体衬底，所述半导体衬底具有：第一部分，其含有连接到所述衬底的上部部分中的栅极垫的集成电路装置；及第二部分，其含有具有最高达约10000伏的ESD额定值的齐纳二极管，其中所述齐纳二极管围绕所述衬底的外围定位。可使用MW辐射在所述齐纳二极管20的沟槽中形成单晶Si材料，从而通过使Si晶粒生长(或再生长)到较大大小同时消耗较小晶粒来减少所述齐纳二极管的每单位面积的晶粒边界。因此，当所述齐纳二极管的横截面积从仅仅环绕所述栅极垫增加到囊括更多的所述衬底时，来自所述齐纳二极管的泄漏电流并不增加。本发明还描述其它实施例。

主权项

一种半导体装置，其包括：半导体衬底；所述衬底的第一部分，其含有连接到所述衬底的上部部分中的栅极垫及源极垫的集成电路装置；及所述衬底的第二部分，其含有具有最高达约10000伏的ESD额定值的齐纳二极管，其中所述齐纳二极管围绕所述衬底的外围定位。