发明名称 |
单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置 |
摘要 |
本发明公开了单晶制造技术领域中的单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置。本发明包括用于采集导流筒下口内侧在硅料液面上投影图像的摄像头、和摄像头连接的用于测量图像上两个点之间的距离和计算图像采集点到硅料液面的距离的计算机、用于对硅料液面的位置进行调整的PLC。本发明能够直接准确测量在高温负压环境下液态多晶硅料的液面相对位置,减少现场单晶工人的劳动强度,为自动化的单晶炉提供低成本高可靠的液面检测方案。 |
申请公布号 |
CN102995111A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210441205.4 |
申请日期 |
2012.11.07 |
申请人 |
北京七星华创电子股份有限公司 |
发明人 |
陈世斌;张燕玲;陶智贵 |
分类号 |
C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种单晶炉非接触式硅料液面位置测量装置,其特征是,该装置用于通过导流筒下口内侧在硅料液面上的投影在摄像头上的成像来控制埚跟比,该装置包括:摄像头,用于采集导流筒下口内侧在硅料液面上投影的图像;和摄像头连接的计算机,用于测量图像上两个点之间的距离和计算图像采集点到硅料液面的距离;和计算机连接的PLC,用于对硅料液面的位置进行调整。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层 |