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发明名称
半导体记忆装置中之资料输出电路
摘要
一种半导体记忆装置中之资料输出电路包括:一第一资料驱动单元,其系配置以产生具有一第一时序之一第一驱动资料;一第一缓冲单元,其系配置以藉由缓冲第一驱动资料而产生一第一输出资料;一第二资料驱动单元,其系配置以产生具有一第二时序之一第二驱动资料,该第二时序与该第一时序不同;以及一第二缓冲单元,其系配置以藉由缓冲第二驱动资料而产生一第二输出资料。
申请公布号
TWI390546
申请公布日期
2013.03.21
申请号
TW097133280
申请日期
2008.08.29
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
罗光振
分类号
G11C7/22;G11C7/10
主分类号
G11C7/22
代理机构
代理人
赖安国 台北市信义区东兴路37号9楼;李政宪 台北市信义区东兴路37号9楼
主权项
地址
南韩
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