参数化单元的实现方法及由该参数化单元构成的系统

摘要

本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种参数化单元的实现方法，包括：对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集；分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数；将所述每个器件模型的参数进行组合，并对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元。本发明还公开了一种由该参数化单元构成的系统。利用本发明，通过对器件模型的共性分析形成特征集，参数化单元的各器件模型调用特征集中的子单元来实现CDF参数设置，降低了参数化单元实现的复杂度。

主权项

一种参数化单元的实现方法，其特征在于，该方法包括：对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集；分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数；将所述每个器件模型的参数进行组合，并对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元；其中，所述对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集，是对多个MOS管模型进行共性分析，提取多个MOS管模型的共同特征，形成MOS管的特征集；所述分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数，是根据MOS管器件模型的特征，调用MOS管特征集中的子单元，对所述MOS管器件模型进行参数化实现，具体为：定义并初始化MOS管的器件参数；调用MOS管特征集中的参数精度取值范围子单元，并对所述参数精度取值范围子单元外的器件参数进行定义；依据设计规则和MOS管示意图，确定扩散层坐标，选取所述扩散层坐标中的一点或多点作为基准以进行定位；根据所述扩散层坐标，确定栅位置；选取已知坐标点并依据设计规则确定源漏端金属位置；调用MOS管特征集中的接触孔阵列子单元，确定源漏端的接触孔阵列的位置以及接触孔排列方式；调用MOS管特征集中的漏源连接类型子单元，确定源漏端连接类型；调用MOS管特征集中的绘制图层子单元，绘制MOS管的所述栅；调用MOS管特征集中的栅极连接类型子单元，确定栅的连接方式；调用MOS管特征集中的衬底连接子单元，确定集成型和分离型衬底 连接；以及调用MOS管特征集中的绘制图层子单元，绘制所述MOS管的各图层。