发明名称 一种功率电子器件双面粘接结构
摘要 本实用新型公布了一种功率电子器件双面粘接结构。在芯片与一侧基板之间设置有金属管层,金属管的数量大于等于2,金属管间的中心间距P大于金属管直径D,金属管长度L小于等于芯片尺寸;两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。该方法是通过在芯片与一侧基板连接处加入银管层来实现。芯片与基板,芯片与银管以及银管与基板之间均采用纳米银焊膏粘接。由于芯片厚度不等造成的封装困难。加入银管层,使得芯片上的应力分布更加均匀;银管易于变形的特点,释放芯片工作过程中产生的应力,起到保护芯片的作用。芯片双面粘接基板结构可同时实现多芯片封装,及不等厚度芯片封装等,提高了结构的封装功率、热性能及可靠性。
申请公布号 CN202796905U 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201220516554.3 申请日期 2012.10.09
申请人 天津大学 发明人 梅云辉;连娇愿;陆国权;陈旭
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种功率电子器件双面粘接结构,其特征是在芯片与一侧基板之间设置有金属管层,金属管的数量大于等于2,金属管间的中心间距P大于金属管直径D,金属管长度L小于等于芯片尺寸;两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。
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