发明名称 |
准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及制作方法,传感器包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道,由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极,构成导电沟道。其工艺是:先合成准一维金属氧化物半导体纳米材料;再采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管;利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道;最后对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性,通过自组装的方法修饰与目标分子结合的连接物单分子层,通过连接物分子在纳米材料表面连接生物分子,用以检测疾病的标志性分子。具有快速响应、灵敏度高、选择性强、无标记分子等特点。 |
申请公布号 |
CN101592626B |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN200910030340.8 |
申请日期 |
2009.03.19 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
张蓓蓓;苏瑞巩;刘海滨;李宁;程国胜 |
分类号 |
G01N27/327(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/327(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 |
代理人 |
孙东风;王锋 |
主权项 |
一种准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)合成准一维金属氧化物半导体纳米材料;(2)采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管;(3)利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道;(4)对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性,通过自组装的方法修饰与生物探针分子结合的连接物单分子层,通过连接物分子在纳米材料表面连接生物探针分子,用以检测疾病的标志性分子。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 |