发明名称 |
一种氧化硅纳米管束材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明提出一种氧化硅纳米管束材料及其制备方法。本发明提出的氧化硅纳米管束材料,其特征在于具有有序孔道结构,氧化硅纳米管孔道长度在200nm级别,氧化硅纳米管孔道直径在10nm级别,每个氧化硅纳米管束单元包含5-10个氧化硅纳米管。我们记其为CTBU-1。本发明提出的氧化硅纳米管束材料,其制备方法特征在于以有机硅(TEOS)为硅源,以嵌段式非离子表面活性剂(PluronicP123)为结构导向剂,以十二烷为结构添加剂,以氟化铵(NH4F)为合成添加剂,在酸性条件下,于温和条件下合成;在进行有机硅源的水解之前先将表面活性剂溶液静置分层,去除上层液相体系,有机硅源加入下层液相体系水解。 |
申请公布号 |
CN102951647A |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201110247519.6 |
申请日期 |
2011.08.26 |
申请人 |
重庆工商大学 |
发明人 |
张海东;申渝;郑旭煦;陈佳 |
分类号 |
C01B33/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种氧化硅纳米管束材料,其特征在于以有机硅为硅源,以嵌段式非离子表面活性剂为结构导向剂,以烷烃为结构添加剂,以氟化铵(NH4F)为合成添加剂,在酸性条件下,于温和条件下合成的,具有有序孔道结构的,氧化硅纳米管孔道长度在200nm级别,氧化硅纳米管孔道直径在10nm级别,每个氧化硅纳米管束单元包含5‑10个氧化硅纳米管的氧化硅纳米管束材料。 |
地址 |
400067 重庆市南岸区学府大道19号 |