| 发明名称 | 零层光刻对准标记的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种零层光刻对准标记的制造方法，包括步骤：1)形成零层光刻对准标记图形；2)倒梯形沟槽的刻蚀；3)非选择性外延生长，在沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨硅片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。该方法利用非选择性外延生长和化学机械研磨工艺来形成零层光刻对准标记，不仅改善了超结器件的对准精确度，还同时节约了器件的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102956617A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110255647.5 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 吴智勇;刘鹏 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种零层光刻对准标记的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)形成零层光刻对准标记图形；2)在硅片上刻蚀出倒梯形沟槽；3)进行非选择性外延生长，在所述沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨硅片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||