| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101170127B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN200710181741.4 | 申请日期 | 2007.10.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心 | 发明人 | 张守仁;凯特·乔治·爱得恩;于洪宇;劳斯·安妮;卫罗索·安那贝拉 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一完全硅化的主要电极；以及一介电质，连接于所述主要电极，所述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，所述功函数调整元素用以调整所述主要电极的所述材料的功函数以达到一预定值，其中所述材料包括硅和镍的合金，其中所述功函数调整元素为镱，其中所述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止所述功函数调整元素朝所述介电质扩散及/或扩散进入所述介电质，其中所述防止扩散掺质元素为磷(P)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||