| 发明名称 | 形成焊接凸块的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种形成焊接凸块的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底表面形成有凸块下金属层；利用金属层蚀刻液蚀刻所述凸块下金属层；清洗干燥所述凸块下金属层；在所述凸块下金属层上形成焊接凸块。本发明通过使用金属蚀刻液进行短时间的蚀刻，能将凸块下金属层表面进行微蚀刻，从而改变表面的微观结构，使其变得更加粗糙，增加了其与干膜光阻之间的粘合力，从而不会出现渗镀现象，因而提高了芯片的性能和质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101873769B | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN200910049994.5 | 申请日期 | 2009.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王重阳;梅娜 |
| 分类号 | H05K3/34(2006.01)I;B23K35/24(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种形成焊接凸块的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一基底，该基底表面形成有凸块下金属层，其中，所述凸块下金属层的厚度为3000埃～5000埃；利用金属层蚀刻液蚀刻所述凸块下金属层，其中，所述金属层蚀刻液包括硫酸，蚀刻时间为10秒～30秒，其蚀刻速率为2100埃/分钟；清洗干燥所述凸块下金属层；在所述凸块下金属层上形成焊接凸块。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||