一种CVD反应腔体清洁方法

摘要

本发明公开了一种CVD反应腔体清洁方法，包括：A、按照正常清洁过程中所需的温度和压力范围，设置CVD反应腔体的温度参数和压力参数；B、向所述反应腔体内通入清洁气体，清洁气体的流量由正常清洁时所需流量逐渐增大至预设流量；C、通入预设时间的所述清洁气体后，抽去反应腔体内的清洁气体，以清除反应腔体内杂质颗粒；D、重复步骤B和C，直至将反应腔体中的杂质清洁干净。该方法对反应腔体的清洁力度较强，能减少反应腔体内的杂质颗粒的数量。

主权项

一种CVD反应腔体清洁方法，其特征在于，包括：A、按照正常清洁过程中所需的温度和压力范围，设置CVD反应腔体的温度参数和压力参数；B、向所述反应腔体内通入清洁气体，所述清洁气体的流量由正常清洁时所需流量逐渐增大至预设流量；C、通入预设时间的所述清洁气体后，抽去反应腔体内的所述清洁气体，以清除所述反应腔体内杂质颗粒；D、重复步骤B和C，直至将所述反应腔体中的杂质清洁干净；其中，在通入所述清洁气体的过程中，保持所述反应腔体内的温度和压力的变化范围在预设误差范围内。