发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在一示例中,半导体器件可以包括:衬底;和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括:在衬底中形成的槽型栅区;和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括:在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区;和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触,JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。 |
申请公布号 |
CN102931191A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201210426365.1 |
申请日期 |
2012.10.31 |
申请人 |
成都芯源系统有限公司 |
发明人 |
张磊;李铁生;马荣耀 |
分类号 |
H01L27/088(2006.01)I;H01L27/098(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/088(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:衬底;和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET),其中所述MOSFET包括:在衬底中形成的槽型栅区;和在衬底中形成的源区和漏区,所述JFET包括:在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区;和在衬底中形成的源区和漏区,其中,所述JFET的栅区与所述MOSFET的源区在衬底中电接触,所述JFET的漏区与所述MOSFET的漏区包括衬底的相同部分。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号 |